英伟达与三星合作，计划2025年推出3纳米GAA工艺显卡

　　9月18日消息，近日，据行业消息人士透露，英伟达(NVIDIA)已经展开了与三星的合作，计划在2025年推出采用3纳米GAA工艺制程的全新显卡系列。这一消息引发了科技界的广泛关注。

　　这一合作计划的核心是英伟达旗下的Ada Lovelace和Blackwell显卡系列。根据消息，这些新显卡将配备超过150亿个晶体管，核心时钟频率将超过3 GHz，总线密度将达到512位，这预示着卓越的性能表现。RTX 5090，作为其中的代表，将拥有令人瞩目的性能指标，包括144组SM单元，相比前代增加了12.5%的性能。显存方面，RTX 5090将采用GDDR7显存，拥有384位宽，并支持PCIe 5.0 x16接口，为用户提供更高的数据传输速度和游戏性能。

　　除了性能的提升外，英伟达还在散热设计方面进行了创新。微星在最近的台北Computex电脑展上展示了下一代英伟达显卡的散热解决方案，其中包括动态双金属鳍片、六条贯穿式纯铜热管以及铜片嵌入的大面积铝质鳍片，这些设计将有助于有效散热，保持显卡在高负荷下的稳定性。显存区域也采用了铜片，进一步强化了散热效果。这一举措表明英伟达将着重关注显卡的散热性能，以确保用户在长时间使用中获得卓越的体验。